高纯中空硅材料、多晶硅铸锭硅真空固液分离方法及设备(专利号:2013102098974)
专利号:2013102098974申请日:2013/05/31授权公告日:2015/07/15 专利权人:大连理工大学发明人:姜大川;任世强;石爽;谭毅;邱介山摘要: 本发明提供一种高纯中空硅材料、多晶硅铸锭硅真空固液分离方法及设备,本发明多晶硅铸锭硅真空固液分离方法包括以下步骤:将硅料在容器内熔化成熔融硅料;拉锭至熔融硅料中硅料长晶率达到80~90%时,抽真空使熔融硅料表面形成凝固壳体;抽真空的同时,采用压杆在壳体上穿孔,所述壳体...