高纯中空硅材料、多晶硅铸锭硅真空固液分离方法及设备（专利号：2013102098974）

摘要：

    本发明提供一种高纯中空硅材料、多晶硅铸锭硅真空固液分离方法及设备，本发明多晶硅铸锭硅真空固液分离方法包括以下步骤:将硅料在容器内熔化成熔融硅料；拉锭至熔融硅料中硅料长晶率达到80~90%时，抽真空使熔融硅料表面形成凝固壳体；抽真空的同时，采用压杆在壳体上穿孔，所述壳体内部硅液在负压的作用下从孔中流出至壳体表面，待熔体全部流出停止压杆在壳体上穿孔，流出的硅液在壳体上凝固，实现富集杂质铸锭和较高纯度铸锭的分离。本发明还能抑制富集杂质的反向扩散，同时更可方便切除定向凝固提纯得到的富集杂质的铸锭，提高多晶硅生产中的出成率。