专利号： |
2012105569236 |
申请日： |
2012/12/08 |
授权公告日： |
2015/07/08 |
专利权人： |
厦门大学；大连理工大学 |
发明人： |
王成；时康；康仁科；田中群；杨永学；单坤；张红万；周剑章；周平；詹东平；张艺程 |
摘要：
本发明公开了一种平面碳膜电极的制备方法，涉及电化学微纳米加工技术领域。具体步骤是：将光刻胶均匀地旋涂在导电基体上，随后在具有一定压力的惰性气体保护下，通过程序升温使光刻胶依次发生软化和碳化，并最终形成导电碳膜；最后采用树脂封装制成平面碳膜电极。由于采用程序升温使光刻胶层在发生碳化前先发生软化，利用并通过增加气体压力，延长在软化温度下的滞留时间，进一步增强光刻胶层的自流平作用，制得具有极高面形精度的大面积碳膜电极。
