一种Ⅱ-Ⅵ型长寿命量子点及其制备方法(专利号:2012104394925)
专利号:2012104394925申请日:2012/11/06 授权公告日:2015/07/22专利权人:大连理工大学发明人:武素丽;常杰;张洁;张淑芬摘要: 本发明涉及一种Ⅱ-Ⅵ型长寿命量子点及其制备方法,具体涉及一种通过共轭结构配体制备的Ⅱ-Ⅵ型的长寿命半导体量子点材料,属于材料制备领域。该量子点是有机配体L通过配位化学键与Ⅱ-Ⅵ型无机半导体量子点的金属离子结合形成的量子点,具有如下结构:MX:L,其中,M=Cd2+或Zn2+;X=S2-、Te2...