空穴导电特性氧化镓膜的制备方法及空穴导电特性氧化镓膜(专利号:201310414275.5)
专利号:201310414275.5申请日:2013/09/12 授权公告日:2015/10/28专利权人:大连理工大学发明人:梁红伟;夏晓川;柳阳;申人升;杜国同;胡礼中摘要: 本发明提供一种空穴导电特性氧化镓膜的制备方法及空穴导电特性氧化镓膜,空穴导电特性氧化镓膜的制备方法包括以下步骤:将衬底置于密封反应室内的生长托盘上,加热托盘到高于氧化镓膜预期生长温度10-200℃,对衬底进行热处理;将托盘温度降到预定生长温度后,在预设压强...