一种抗腐蚀性复合SIO2膜的制备方法及应用（专利号：200610155919.3）

日期: 2015-03-30浏览:

专利号：	200610155919.3
申请日：	2006/12/31
授权公告日：	2009/8/26
专利权人：	大连理工大学
发明人：	马学虎;陈宏霞;陈嘉宾;白涛

摘要：
本发明属于金属表面改性与防腐技术领域，涉及金属表面耐腐蚀性薄膜的制备方法。其特征在于改进高温水热法，采用钠-钙玻璃为主要硅源，LiBr溶液同时作为硅溶剂和金属基体活化剂，使金属基体活化与SiO₂沉积同时进行，边活化边沉积的工艺使得膜层的成分有效的穿插，无需后续热处理，制备耐温、抗腐蚀的无机抗腐蚀性薄膜。该膜层主要成分为SiO₂和铁及铬的氧化物，调节基体的活化速度和硅的沉积速度，可以制备不同成分含量的氧化膜。本发明的效果和益处是制备的薄膜厚度在3-15μm，可明显提高换热表面的耐腐蚀性，并对传热特性影响较小；应用于腐蚀性环境下的运输及储存设备中能提高耐蚀性，延长使用寿命。

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