采用电子束注入去除多晶硅中杂质硼的方法（专利号：201010242065.9）

日期: 2015-03-30浏览:

专利号：	201010242065.9
申请日：	2010/7/29
授权公告日：	2012/1/25
专利权人：	大连理工大学
发明人：	谭毅;姜大川;邹瑞洵;董伟

摘要：
本发明采用电子束注入去除多晶硅中杂质硼的方法属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域，特别涉及一种利用电子束进行电子注入，从而去除多晶硅中杂质硼的方法。该方法首先利用高温加热炉加热硅粉，然后将其置于电子束熔炼炉中，低束流电子束轰击硅粉，最后用HF酸溶液除去硅粉表面氧化膜得到低硼硅粉。本发明的显著效果是采用了电子束释放电子显负电的电效应，结合硅材料本身的特点，增强了硅料自身的微电场，在温度的驱动下使硼扩散到界面进而进入到二氧化硅层中，最后酸洗去除含有硼的二氧化硅膜，从而达到去除杂质硼的目的，以满足太阳能级硅的使用要求，其提纯效果好，稳定性好，能耗小，成本低，工艺简单，周期短，生产效率较高。

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