一种硅光电二极管的制作方法（专利号：200910219830.2）

日期: 2015-03-30浏览:

专利号：	200910219830.2
申请日：	2009/11/10
授权公告日：	2012/3/14
专利权人：	大连理工大学
发明人：	褚金奎;韩志涛;孟凡涛;王志文

摘要：
本发明一种硅光电二极管的制作方法属于半导体器件制作领域，尤其涉及一种硅光电二极管的制作方法。本发明采用绝缘体上硅晶片作衬底，绝缘体上硅晶片包括支撑硅片、二氧化硅埋层和器件层。采用干法刻蚀工艺在器件层上先加工一个闭环的隔离沟槽；在绝缘体上硅晶片的器件层上表面上生长一定厚度的二氧化硅层，透过二氧化硅层在器件层进行离子注入掺杂，得到P型掺杂区和N型掺杂区。采用溅射的方法在器件层上表面上先后生长一定厚度的钛金属层和铝金属层，经光刻形成正电极和负电极，最后得到硅光电二极管结构。本发明提供的制作方法工艺简单，可靠性高，有良好的重复性和稳定性，可与其它器件进行集成。

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