一种软脆光电晶体透射电镜样品制备方法（专利号：201010531795）

日期: 2015-03-30浏览:

专利号：	201010531795
申请日：	2010/11/2
授权公告日：	2012/5/16
专利权人：	大连理工大学
发明人：	张振宇;周红秀;霍凤伟;赵东杰

摘要：
一种软脆光电晶体透射电镜样品制备方法，属于软脆光电晶体透射电镜样品制备技术领域，特别涉及软脆光电半导体晶体的透射电镜样品制备方法。其特征是采用显微维氏硬度为8GPa以上的硬脆半导体作为软脆光电晶体的保护层。保护层的超光滑表面要达到Ra 1nm以下，厚度在650微米以下。粗磨阶段采用#120-800的砂纸，精磨阶段采用0.1-30微米的金刚石研磨薄膜。保护层与样品之间采用不溶于有机溶剂的热固化胶进行粘接，而研磨好的透射电镜样品第一面与衬底间采用能够溶于有机溶剂的热固化胶进行粘接。在精磨的最终阶段，采用无压力研磨的方法获得透射样品及保护层的薄区。本发明的效果和益处是实现了软脆光电晶体的透射电镜样品制备，获得了高分辨透射电镜原子像。

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