一种高激励电压的压电晶片电阻抗测试系统（专利号：201010229632.7）

日期: 2015-03-30浏览:

专利号：	201010229632.7
申请日：	2010/7/16
授权公告日：	2012/6/13
专利权人：	大连理工大学
发明人：	林莉;李继承;李喜孟;吴迪;雷明凯

摘要：
一种高激励电压的压电晶片电阻抗测试系统，属于压电阻抗法结构健康监测领域。该系统首先利用铜箔和强力胶将压电晶片固定到试样待监测部位，选定监测频率范围和参考电阻的阻值，连接并校正阻抗测试系统。然后利用波形发射卡激励压电晶片，在选定的监测频率范围内以0.1kHz为间隔进行逐点激励和阻抗测量。在激励压电晶片的同时利用数字示波器测量出阻抗测量电路两端的输入电压，参考电阻两端的分电压及两者之间的时间差。最后计算出压电晶片电阻抗的模值、相位、实部和虚部信号。本套测试系统激励电压高达10-35V，所选用仪器均为实验室常规设备，操作简单，测量精度高，重复性好，特别适用于大型结构和工厂的在线监测。

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