一种聚合物平面纳米沟道制作方法（专利号：200910010025.9）

日期: 2015-03-30浏览:

专利号：	200910010025.9
申请日：	2009/1/5
授权公告日：	2012/11/21
专利权人：	大连理工大学
发明人：	刘军山;乔红超;刘冲;徐征;杜立群;王立鼎

摘要：
本发明一种聚合物平面纳米沟道制作方法，属于微纳流控芯片制造技术领域，涉及一种聚合物平面纳米沟道的制作方法，应用在生命科学、医学、分析化学等领域。聚合物平面纳米沟道制作方法首先基于标准的紫外光刻和化学湿法腐蚀技术在聚合物基片上制作出线宽为微米级的金属掩蔽图形，接着利用一台等离子体清洗机对暴露在外的聚合物进行氧气等离子体刻蚀，通过设定刻蚀时间，便可以精确控制聚合物纳米沟道的刻蚀深度；最后利用化学湿法腐蚀去除金属掩蔽图形，便得到了聚合物平面纳米沟道。本发明不需要为实现聚合物刻蚀而购买操作复杂、价格昂贵的反应离子刻蚀或感应耦合等离子体刻蚀设备。纳米沟道的整个制作过程简单、周期短、成本低。

上一篇：一种1,3-丙二胺的制备方法（专利号：201010141361.X）

下一篇：湿度可调高精度闭环配气系统(专利号：201010123679.5)