基于压电阻抗法的热障涂层热生长氧化层无损检测方法（专利号：201110179939.5）

日期: 2015-03-30浏览:

专利号：	201110179939.5
申请日：	2011/6/30
授权公告日：	2013/5/8
专利权人：	大连理工大学
发明人：	林莉;李继承;陈军;罗忠兵;李喜孟;雷明凯

摘要：
一种基于压电阻抗法的热障涂层热生长氧化层无损检测方法，属于材料无损检测与评价技术领域。该系统由阻抗分析仪、压电晶片、涂层试样、计算机等组成。首先利用强力胶将压电晶片固定到涂层试样待检测部位，焊接导线并校正阻抗分析仪。然后利用阻抗分析仪在兆赫级频带内，对压电晶片进行电阻抗模值信号测量，根据测量结果选取谐振峰分布集中的频带作为检测频段，确定采样点数和采样频率。在选定的检测频段内对氧化前后的涂层试样分别进行电阻抗模值信号测量。最后根据电阻抗信号测量结果，计算出氧化损伤识别指数RMSD，对形成热生长氧化层进行判定。本方法具有100％无损检测的优点，成本低，效率高，操作方便，易于实用化，具有较大的经济效益和社会效益。

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