一种II-VI族软脆晶体超精密加工样品的定点原子成像方法（专利号：201210104895.4）

日期: 2015-03-30浏览:

专利号：	201210104895.4
申请日：	2012/4/11
授权公告日：	2013/11/6
专利权人：	大连理工大学
发明人：	张振宇;霍艳霞;张念民;郭东明

摘要：
一种II-VI族软脆晶体超精密加工样品的定点原子成像方法，属于II-VI族软脆晶体超精密加工及透射电镜样品定点原子成像技术领域。其特征是采用II-VI族软脆晶体超精密加工样品作为透射电镜制备目标，超精密加工图案贯穿样品表面宽度。透射电镜样品制备时第一面和第二面结束时分别采用0.5μm和1μm的抛光薄膜。离子减薄时采用液氮冷却，低角度及低能量轰击的方法进行离子减薄。定点成像时双倾台β的角度为±22°之间。定点成像的对象是定点位置与胶连接完好的碎片或定点减薄位置。定点原子成像的曝光时间≤0.15秒。本发明的效果和益处是实现了II-VI族软脆晶体超精密加工样品的定点高清晰原子成像效果。

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