一种高纯硅与高纯铝的电化学双精炼提纯的方法（专利号：201110451756.4 ）

日期: 2015-03-30浏览:

专利号：	201110451756.4
申请日：	2011/12/30
授权公告日：	2014/10/22
专利权人：	大连理工大学
发明人：	谭毅；李亚琼；李佳艳；李超超；武深瑞；刘瑶

摘要：
本发明属于硅和铝提纯的技术领域。一种高纯硅与高纯铝的电化学双精炼提纯的方法，具体步骤如下:(1)合金精炼提纯：采用合金精炼法对金属铝和冶金硅的混合原料进行熔炼，去除冶金硅中的杂质硼，从而得到铝硅合金；(2)电解分离：铝硅合金作为阳极，不锈钢作为阴极，低温熔盐作为电解液，进行恒电流电解，阳极富集的阳极泥为多晶硅，阴极富集铝；（3）后处理：将阳极富集的多晶硅进行破碎、酸洗除杂、去离子水清洗、过滤和干燥，获得低硼的多晶硅，将阴极富集的铝进行清洗、干燥获得高纯铝。本发明有效去除冶金硅中的杂质硼，其提纯效果好，环保效益高。铝的回收利用率达到93%以上，纯度达到99.999%以上。

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