一种可调制带隙宽度的Fe-Si-Al系三元非晶薄膜及其制备方法（专利号：201310016601.7）

日期: 2015-03-30浏览:

专利号：	201310016601.7
申请日：	2013/1/17
授权公告日：	2014/10/22
专利权人：	大连理工大学
发明人：	李晓娜；郑月红；董闯

摘要：
一种可调制带隙宽度的Fe-Si-Al三元非晶薄膜及其制备方法，属半导体材料技术领域。此薄膜材料具有如下通式：Fe(1-x-y)SixAly，其中：50at.%≤x≤70?at.%，1at.%?≤y≤11at.%，当(x+y)的总量从60?at.%到75?at.%变化时，薄膜的带隙宽度可以从0.45?eV调制到0.65eV，结构均为非晶态。该薄膜有如下优点：①Fe(1-x-y)SixAly薄膜是三元半导体非晶薄膜，可从0.45eV到0.65eV较大范围内调制带隙宽度，Al的作用不单可以影响带隙宽度，而且增加一个组元薄膜的非晶形成能力也会增加；②只要改变组合溅射靶中Fe4Alz合金片的个数和z值，即可方便地调整薄膜中(Si+Al)的总量，进而获得不同带隙宽度；③薄膜保持非晶态，能够保证成分和性能均匀，有效回避晶态薄膜制备中的晶格失配以及多相混杂等问题。适宜制造近红外探测器等窄带隙半导体器件。