一种在硅基底上制作多层微型电感线圈的UV-LIGA方法（专利号：2012101931389）

摘要：

    本发明公开了一种在硅基底上制作多层微型电感线圈的UV-LIGA方法，其结合微机电系统MEMS，通过UV-LAIG工艺：光刻、显影、溅射、电铸工艺以及等离子体化学气相沉积PECVD技术制作截面直径为十几微米乃至几微米的微电感线圈，打破了传统电感线圈制作方法的尺寸限制。本发明用于单层微小线圈或者串、并联导通结构多层线圈的制作，而且通过等离子体化学气相沉积PECVD工艺进行多层线圈之间绝缘层的填充。以硅片作为基底不但起到了良好的底层绝缘效果而且质地轻薄操作灵便，以铬板作为掩膜工具实现设计图形到制作形状的转载使得电感线圈的尺寸、形状以及布局设计变得很灵活简单，根据掩模图形布置可以一次加工多套电感线圈，性价比高，大大提高加工效率和成型率。