专利号: |
2013100863181 |
申请日: |
2013/03/18 |
授权公告日: |
2015/04/29 |
专利权人: |
大连理工大学 |
发明人: |
吴东江;姚龙元;马广义;牛方勇;郭东明 |
摘要:
本发明公布了一种超短脉冲激光烧蚀氮化硅的模拟计算方法,利用Matlab对加工参数进行模拟计算分析,主要步骤包括:建立超短脉冲激光烧蚀氮化硅的烧蚀模型,对计算参数进行初始化;定义等离子体密度边界条件,并通过模型计算在不同模拟参数下的烧蚀阈值、深度和体积;基于计算结果和残留高度模型,对激光烧蚀残留高度进行分析评价,并给出指导参数。本发明可以避免通过反复实验获得加工参数的过程,利用模拟结果可对加工参数进行优化,从而可缩短产品周期,降低加工成本,提高生产效率,因此对超短脉冲激光烧蚀氮化硅的实际加工过程具有重要指导价值。