原位反应法制备石墨坩埚表面的SiC涂层的方法（专利号：2013107199473）

摘要：

    本发明提供一种原位反应法制备石墨坩埚表面的SiC涂层的方法，包括如下步骤：将打磨好的涂层用石墨坩埚埋覆于发热用石墨坩埚内的硅粉中，得预反应物料；预反应物料放置在超音频感应加热炉中，在1300℃、惰性气体保护下反应60～90min。本发明利用原位反应在石墨坩埚的表面通过固相反应生成厚度均匀的SiC涂层，该方法工艺简单、容易控制，有利于工业化生产。本发明的方法制备的SiC涂层与石墨坩埚基体结合牢固，该SiC涂层能有效防止石墨坩埚的氧化，提高石墨坩埚的抗氧化性和抗热冲击性，从而提高石墨坩埚的使用寿命，而且不会引入其他杂质。