一种用于等离子体刻蚀的元胞-水平集联合模拟方法（专利号：201210489760.4）

摘要：

    本发明公开了一种用于等离子体刻蚀的元胞-水平集联合模拟方法，通过元胞方法将等离子体刻蚀的物理化学机制表达出来，得到等离子体刻蚀过程中的表面刻蚀速率，再将表面刻蚀速率作为水平集的速度场函数，模拟整个剖面的演化过程，得到等离子体刻蚀后的剖面形貌。本数值计算方法不同于其他数值计算之处在于，它既有着明确的物理意义，能清晰刻画等离子体刻蚀过程中的物理化学现象，同时计算效率高，稳定性好，易于扩展到三维，是一种适合商业化的高效数值模拟方法。