常温常压下等离子体化学气相沉积制备纳米晶TIO2薄膜的方法(专利号:2007100107070)
专利号:2007100107070申请日:2007/3/21授权公告日:2010/1/20专利权人:大连理工大学发明人:朱爱民;丁天英;石川;徐勇 摘要: 一种常温常压下等离子体化学气相沉积制备纳米晶TIO2薄膜的方法,其特征是采用共面式介质阻挡放电,在基体与绝缘介质之间的短间隙产生薄层等离子体,TICL4蒸气与氧气在薄层等离子体区反应并沉积到基体上,在常温常压下直接制得具有光催化活性的纳米晶T...