一种硬脆晶体基片的无损伤磨削方法（专利号：200610134249.7）

日期: 2015-03-30浏览:

专利号：	200610134249.7
申请日：	2006/11/8
授权公告日：	2008/12/17
专利权人：	大连理工大学
发明人：	郭东明;田业冰;康仁科;金洙吉;高航

摘要：
本发明一种硬脆晶体基片的无损伤磨削方法属于硬脆晶体基片超精密加工技术领域，特别涉及半导体与光电晶体硬脆晶体基片的超精密磨削加工技术。采用特制砂轮磨削，修整盘采用金属基体电镀金刚石砂轮，其粒度选用#100-#300；特制砂轮的填充料中含有活化剂、氧化剂、pH调节剂，磨料选用二氧化铈、二氧化硅或者碳酸钡。磨削进给速度为1-5μm/min，砂轮的转速为500-1000n/min，硬脆晶体基片的转速为50-200n/min，采用去离子水为冷却液，其流量为10-50ml/min。磨削方法具有精度高、加工成本低，材料去除率高，不会在基片表面产生微划痕、微疵点、微裂纹等加工表面/亚表面损伤。

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