常温常压下等离子体化学气相沉积制备纳米晶TIO2薄膜的方法（专利号：200710010707）

日期: 2015-03-30浏览:

专利号：	200710010707
申请日：	2007/3/21
授权公告日：	2010/1/20
专利权人：	大连理工大学
发明人：	朱爱民;丁天英;石川;徐勇

摘要：
一种常温常压下等离子体化学气相沉积制备纳米晶TIO2薄膜的方法,其特征是采用共面式介质阻挡放电,在基体与绝缘介质之间的短间隙产生薄层等离子体,TICL4蒸气与氧气在薄层等离子体区反应并沉积到基体上,在常温常压下直接制得具有光催化活性的纳米晶TIO2薄膜。薄膜由20～30NM的晶粒组成,晶粒具有以锐钛矿相为主、仅含有少量金红石相的混晶结构。采用的基体与绝缘介质之间的短间隙距离为0.1～3MM,气体总流速为0.1～2M/S,TICL4与O2的摩尔比为0.005～0.5。采用交流高压电源,其频率范围为50HZ-10KHZ。本方法的效果和益处是该制备方法在常温常压下进行,具有装置简单、能耗低和薄膜沉积速率快的特点,适合于各种材质的基体,尤其适合于不耐热的有机高分子基体材料。

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