一种提高微电铸铸层尺寸精度的方法(专利号：200810013324.3)

日期: 2015-03-30浏览:

专利号：	200810013324.3
申请日：	2008/9/20
授权公告日：	2010/9/8
专利权人：	大连理工大学
发明人：	刘冲;杜立群;李苗苗;施维枝;刘军山;梁军生

摘要：
本发明一种提高微电铸铸层尺寸精度的方法,属于微制造技术领域,特别涉及微电铸金属模具的尺寸精度的控制方法。该方法包括掩膜版设计和模具制作工序,针对SU-8厚胶、图形密集、复杂的微电铸工艺,设计掩膜版时,在相对较窄的单个或多个相互独立的掩膜图形四周增设一条或多条相对较宽、封闭或不封闭且等间距或不等间距的隔离带,隔离带宽度的具体尺寸根据实际情况设计。针对掩膜图形相对较窄并呈中空结构的微电铸,在掩膜图形外围和中间对应增设一条或多条相对较宽、封闭或不封闭且等间距或不等间距的外隔离带和内隔离带。本方法改善了胶模的热溶胀性,阻止了隔离带外围胶模的热溶胀对铸层尺寸的影响,从而提高了微电铸镍铸层的尺寸精度。