大面积直流脉冲等离子体基低能离子注入装置（专利号：200710101587.5）

日期: 2015-03-30浏览:

专利号：	200710101587.5
申请日：	2007/4/30
授权公告日：	2010/9/29
专利权人：	大连理工大学
发明人：	雷明凯;郭甲;高峰;袁力江;张仲麟

摘要：
材料表面工程领域中,大面积直流脉冲等离子体基低能离子注入装置,包括金属真空室[5],低能离子注入电源[14]和真空系统,特征:取消由外界输运等离子体的独立等离子体源,在真空室内安置一金属网罩[6],等离子体源电源[8]向网罩施加直流脉冲负偏压,在炉体[2]内壁和网罩之间形成等离子体,或者增加提供放电辅助作用的热阴极灯丝[9]降低放电电压,将直流脉冲等离子体源和低能离子注入装置组合在真空室内,在网罩与样品台[11]上分别施加的直流脉冲负偏压交替发生,保证了直流脉冲等离子体的产生和低能离子注入交替不间断的进行。优点:成本低;能实现大面积的均匀等离子体基低能离子注入。

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