一种化学冶金提纯多晶硅的方法（专利号：200810011266.0）

日期: 2015-03-30浏览:

专利号：	200810011266.0
申请日：	2008/4/30
授权公告日：	2011/2/2
专利权人：	大连理工大学
发明人：	谭毅;姜大川;李国斌;许富民;刘艳娇;胡祖麒

摘要：
本发明一种化学冶金提纯多晶硅的方法属于用化学冶金提纯多晶硅的技术领域，特别涉及一种利用酸、碱等化学手段提纯硅到99.99％纯度的多晶硅的方法。利用扫描电镜观察、记录工业硅晶粒的大小，再将硅晶粒破碎到合适的程度，并用氢氧化钠溶液去除硅粉的氧化层及杂质铝，用浓度氢氟酸进行酸洗，去除金属复杂相；用水清洗直到溶液呈中性，得到高纯度的硅材料。这种提纯多晶硅的方法成本低、能耗小、操作简单、可行性高。

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