一种化学机械抛光半导体晶片用的抛光液（专利号：200810010596.8）

日期: 2015-03-30浏览:

专利号：	200810010596.8
申请日：	2008/3/7
授权公告日：	2011/8/24
专利权人：	大连理工大学
发明人：	康仁科;李岩;高航;郭东明

摘要：
本发明一种化学机械抛光半导体晶片用的抛光液，属于化学机械抛光用的抛光液，特别涉及II-VI族化合物半导体晶片化学机械抛光用的抛光液领域。抛光液的pH值为0.5～7，粒径为5～20nm。抛光液组成成分是按重量百分比，其中磨料5-40％，表面活性剂0.1-10％，分散剂0.1-10％，螯合剂0.1-10％，氧化剂0.1-5％，pH调节剂0.1-5，其余为去离子水。本发明不腐蚀设备，不污染环境。抛光去除率高，达到200nm/min，抛光样品表面粗糙度低，可达到粗糙度Ra值在10埃以下。抛光液的配制方便，成本低，抛光后的表面无划痕和腐蚀坑等缺陷。

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