连续熔炼去除多晶硅中磷和硼的方法及装置（专利号：200910220059）

日期: 2015-03-30浏览:

专利号：	200910220059
申请日：	2009/11/19
授权公告日：	2011/9/14
专利权人：	大连理工大学
发明人：	谭毅;董伟;李国斌;姜大川

摘要：
本发明属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域，特别涉及一种利用电子束熔炼技术将多晶硅中的杂质磷和硼去除的方法。该方法使用两把电子枪发射电子束分别对多晶硅进行熔炼，同时采用双重工艺去除多晶硅中的磷和硼，首先去除多晶硅中杂质磷，将低磷的多晶硅进一步熔炼蒸发除硼，收集蒸发到沉积板上的低磷低硼的多晶硅的方法。所采用的装置由真空盖、真空圆桶构成装置的外壳，真空圆桶的内腔即为真空室，真空室由左右两个腔组成，中间由隔离板分割。本发明有效提高了多晶硅的纯度，达到了太阳能级硅的使用要求，其提纯效果好，技术稳定，效率高。

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