一种电子束梯度熔炼提纯多晶硅的方法（专利号：201010247815.1）

日期: 2015-03-30浏览:

专利号：	201010247815.1
申请日：	2010/8/2
授权公告日：	2012/2/15
专利权人：	大连理工大学
发明人：	谭毅;邹瑞洵;顾正;董伟;姜大川

摘要：
本发明一种电子束梯度熔炼提纯多晶硅的方法属于用物理冶金技术提纯多晶硅的技术领域，涉及一种利用电子束熔炼技术去除多晶硅中磷和金属杂质的方法。该方法采用改变电子束束流大小，产生能量大小不同分布，去除挥发性杂质磷的同时实现定向凝固效果。首先取磷和金属杂质含量高的硅料洗净、烘干后置于电子束熔炼炉中，然后以高束流电子束完全熔化硅料；此后逐渐降低电子束的束流，在小束流下保温；关闭束流后冷却，最后取出硅锭，切去硅锭的顶部得到磷和金属杂质含量较低的硅锭。本发明去除磷和金属杂质效果好，采用电子束除磷和定向凝固去除金属的双重作用，提高提纯效率，减少工艺环节，技术稳定，周期短，节约能源，成本低。

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