导体电爆炸等离子体基低能金属离子注入装置（专利号：201010193508.X）

日期: 2015-03-30浏览:

专利号：	201010193508.X
申请日：	2010/5/25
授权公告日：	2012/6/13
专利权人：	大连理工大学
发明人：	雷明凯;张锋刚;朱小鹏;唐毅

摘要：
一种导体电爆炸等离子体基低能金属离子注入装置，属于材料表面工程技术领域。它取消了各种外界输入的金属等离子体源，通过在金属真空室内设置电爆炸阴极、电爆炸阳极，由送丝机构向两电极之间输送金属或合金导体丝，以快速脉冲放电使导体丝发生电爆炸在金属管件内腔形成金属等离子体，在低能离子注入电源施加于金属管件的直流脉冲负偏压作用下，金属离子向金属管件内壁注入，结合辅助加热源的同步加热作用，注入的金属离子向内扩散，实现等离子体基低能金属离子注入。优点：能实现金属管件内壁低能金属离子注入，注入离子的同步扩散增加了表面改性层深度，设备结构紧凑，制造成本低。

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