基于一维软模板纳米压印制作三维纳米网格结构的方法（专利号：201110043750.3）

日期: 2015-03-30浏览:

专利号：	201110043750.3
申请日：	2011/2/23
授权公告日：	2012/7/25
专利权人：	大连理工大学
发明人：	褚金奎;孟凡涛;王志文;韩志涛

摘要：
本发明属于微纳制造技术领域，具体为基于一维软模板纳米压印技术制作大面积三维纳米网格结构的方法。其步骤包括：利用软模板进行第一次纳米压印，然后采用氧RIE刻蚀去除压印胶残留层。利用制作的压印胶图形为掩膜刻蚀基底材料，去胶后得到一维纳米光栅结构。利用与前一次压印和刻蚀工艺相同的参数，进行第二次压印和刻蚀工艺。在第二次压印中，调整模板方向与第一次压印时模板方向呈0°-90°夹角。最终得到具有亚25nm纳米点的三维纳米网格结构。本发明使用的软模板可以有效避免硬模板与硬性基底接触造成的永久性损伤，同时避免了三维模板的使用。制作的纳米结构的尺寸和形状可控。本发明的方法成本低，效率高、可控性好和分辨率高。

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