一种薄硅片的弯曲成形方法（专利号：201010601561.9）

日期: 2015-03-30浏览:

专利号：	201010558014.7
申请日：	2010/11/24
授权公告日：	2012/11/7
专利权人：	大连理工大学
发明人：	李明伟

专利号：	201010558014.7
申请日：	2010/11/24
授权公告日：	2012/11/7
专利权人：	大连理工大学
发明人：	李明伟

专利号：	201010558014.7
申请日：	2010/11/24
授权公告日：	2012/11/7
专利权人：	大连理工大学
发明人：	李明伟

专利号：	201010558014.7
申请日：	2010/11/24
授权公告日：	2012/11/7
专利权人：	大连理工大学
发明人：	李明伟

专利号：	201010558014.7
申请日：	2010/11/24
授权公告日：	2012/11/7
专利权人：	大连理工大学
发明人：	李明伟

专利号：	201010601561.9
申请日：	2010/12/23
授权公告日：	2012/11/7
专利权人：	大连理工大学
发明人：	吴东江;马广义;郭东明;刘双

摘要：
本发明公开了一种薄硅片的弯曲成形方法，利用Nd:YAG脉冲激光器对薄硅片进行扫描，通过激光与薄硅片材料的热作用为薄硅片弯曲提供动力和温度条件。本发明在激光扫描阶段不需要提供额外的温度环境，弯曲成形主要利用激光与材料的热作用实现硅片的塑性特征，进而通过上下表面不同温度产生的应力差而实现。本发明利用1064nm脉冲激光实现了0.1～0.3mm厚度硅材料的弯曲成形，可以得到30度的弯曲角度，弯曲质量良好；同时操作方便，工艺简单，利于实现自动化。本发明采用的激光弯曲技术属于非接触加工形式，对材料表面没有接触损伤，可以有效避免弯曲过程硅片因受到外力接触而造成的破损。

专利号：	201010558014.7
申请日：	2010/11/24
授权公告日：	2012/11/7
专利权人：	大连理工大学
发明人：	李明伟

专利号：	201010558014.7
申请日：	2010/11/24
授权公告日：	2012/11/7
专利权人：	大连理工大学
发明人：	李明伟

专利号：	201010558014.7
申请日：	2010/11/24
授权公告日：	2012/11/7
专利权人：	大连理工大学
发明人：	李明伟

专利号：	201010558014.7
申请日：	2010/11/24
授权公告日：	2012/11/7
专利权人：	大连理工大学
发明人：	李明伟

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