n型ZnO和p型GaN组合ZnO基垂直腔面发射激光器及制备方法（专利号：201010128998.5）

日期: 2015-03-30浏览:

专利号：	201010128998.5
申请日：	2010/3/18
授权公告日：	2012/12/26
专利权人：	大连理工大学
发明人：	杜国同;梁红伟;夏晓川;赵旺

摘要：
一种n型ZnO和p型GaN组合ZnO基垂直腔面发射激光器及制备方法，属于半导体发光器件及其制备方法技术领域。激光器件由衬底1，p型GaN外延层2，外延层2上制备的相互分立的电流下限制层3和下电极5，电流下限制层3上制备的n型ZnO基材料发光层4，上电极6等部件构成，其特征是在衬底1和p型GaN外延层2之间生长制备多层AlGaN/GaN薄膜DBR下反射镜8，n型ZnO发光层4上而制备一层n型宽带隙ZnO基三元系材料电流上限制层7，再在电流上限制层7上制备相互分立的上电极6和多层介质薄膜DBR上反射镜9。本发明的效果和益处是有可控谐振腔，可以提高器件输出功率，使激光的方向变好，进一步拓展了器件的应用范围。

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