一种冶金法去除工业硅中杂质硼的方法（专利号：201110152162.3）

日期: 2015-03-30浏览:

专利号：	201110152162.3
申请日：	2011/6/8
授权公告日：	2012/12/26
专利权人：	大连理工大学
发明人：	谭毅;李亚琼;李佳艳;武深瑞

摘要：
本发明属于冶金法提纯工业硅的技术领域。一种利用冶金法去除工业硅中杂质硼的方法，先熔化工业硅，向工业硅熔体中添加少量的金属，熔炼后得到改性硅熔体，将改性硅熔体冷却、破碎得到改性硅粉；然后将低硼二氧化硅和改性硅粉均匀混合、酸洗除杂、干燥、预成型，后进行真空熔炼-气相冷凝，得到高纯一氧化硅；最后进行一氧化硅的歧化熔炼，冷却、分离后得到高纯硅和二氧化硅，并将得到的二氧化硅返回利用。该发明方法能有效去除工业硅中的杂质硼，从而满足太阳能电池用硅材料的使用要求，工艺简单，生产周期短，节能降耗，提纯效果好，技术稳定，生产效率高，环保效益高。

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