含二氮杂萘酮结构聚芳醚酮酮阴离子交换膜及其制备方法（专利号：201010141349.9）

日期: 2015-03-30浏览:

专利号：	201010141349.9
申请日：	2010/4/1
授权公告日：	2013/4/10
专利权人：	大连理工大学
发明人：	蹇锡高;张守海;杨大令;王锦艳;刘程

摘要：
本发明公开了一类含二氮杂萘酮结构聚芳醚酮酮阴离子交换膜及其制备方法。含二氮杂萘酮结构聚芳醚酮酮阴离子交换膜由含二氮杂萘酮结构聚芳醚酮酮经卤甲基化改性，得到卤甲基化含二氮杂萘酮结构聚芳醚酮酮。卤甲基化含二氮杂萘酮结构聚芳醚酮酮(以卤甲基取代度为100％时为例)的结构简式如下：其中X可以为Cl或Br；Ar可以为或将卤甲基化含二氮杂萘酮结构聚芳醚酮酮溶解于溶剂中配制铸膜液，刮制成膜。再浸泡于多元胺或吡啶溶液中进行胺化处理，得到含二氮杂萘酮结构聚芳醚酮酮阴离子交换膜。由于聚合物分子链中含有全芳环扭曲非共平面的二氮杂萘酮联苯结构，所制得阴离子交换膜具有优良的选择透过性能。