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基于超声雾化水汽的KDP晶体微纳潮解超精密抛光方法(专利号:201210111555.4)
日期: 2015-03-30
浏览:
专利号:
201210111555.4
申请日:
2012/4/16
授权公告日:
2014/2/5
专利权人:
大连理工大学
发明人:
郭东明;高航;王旭;康仁科;张和平
摘要:
本发明涉及一种基于超声雾化水汽的KDP晶体微纳潮解超精密抛光方法。其特征是,先利用超声产生水雾,与洁净干燥气体混合成为洁净水雾气体;在抛光头压在晶体表面上,通洁净水雾气体,晶体表面接触到潮湿气体部分微量水解,形成一层溶解层;然后将抛光头旋转,抛光垫将高点溶解层去除;真空源将多余潮湿气体吸走;抛光头进行小区域局部抛光,保证抛光在局部区域的均匀性;最后,根据由材料去除率函数R(r,θ)和各点去除量H(x,y)求得的驻留时间函数,抛光工具在计算机控制下抛光,实现晶体表面全局平坦化。本方法不使用传统意义上的抛光液,无需在抛光结束后对晶体表面进行清洗;加工过程中无机械加工应力,是一种真正意义上的无损伤微纳加工方法。
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大气压冷等离子体射流辅助切削方法(专利号:201210089199.0)
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