p型ZnO和n型GaN组合ZnO基垂直腔面发射激光器及制备方法（专利号：2010101864775.0 ）

日期: 2015-03-30浏览:

专利号：	2010101864775.0
申请日：	2010/5/25
授权公告日：	2014/4/23
专利权人：	大连理工大学
发明人：	杜国同；夏晓川；梁红伟；赵旺

摘要：
一种p型ZnO和n型GaN组合ZnO基垂直腔面发射激光器及制备方法,属于半导体发光器件及其制备方法技术领域。器件由衬底1、衬底1上依次制备的AlGaN/GaN薄膜DBR下反射镜8、GaN外延层2、相互分立的电流下限制层3和下电极5、电流下限制层3上制备的ZnO基材料发光层4、电流上限制层7、上电极6和多层介质薄膜DBR上反射镜9等部件构成,其特征在于:GaN外延层2为n型GaN薄膜,ZnO基发光层4为p型ZnO基薄膜,电流下限制层3为Ga2O3薄膜,电流上限制层7为p型ZnO基三元薄膜,其禁带宽度大于ZnO基发光层4的禁带宽度。本发明的效果和益处是可以降低激光器的串联电阻和工作电压,提高输出功率和散热能力,进一步拓展其应用范围。

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