专利号： |
201310519337.9 |
申请日： |
2013/10/29 |
授权公告日： |
2015/10/28 |
专利权人： |
大连理工大学 |
发明人： |
王同敏；邹存磊；李明宇；王维；张鹏超；曹志强；李廷举 |
摘要：
本发明提供一种原位制备TiB2增强铜基复合材料的方法和设备，原位制备TiB2增强铜基复合材料的方法包括以下步骤：1）将纯铜置于真空熔炼炉炉膛中，将炉膛抽真空后，反充惰性气体，加热至纯铜完全熔化，并升温到1000-1500℃；2）向铜液中加入Cu-B中间合金，待Cu-B中间合金均匀熔化于铜液中；3）向铜液中加入Cu-Ti中间合金，反应2-10分钟；4）将铜液调整温度至1000-1500℃，并将铜液浇铸在位于旋转磁场中的石墨铸模中，在浇铸时，施加旋转磁场；5）冷凝获得TiB2/Cu复合材料。本发明步骤科学、合理，制备得到的TiB2/Cu复合材料在保证导电性的同时，还具有较高的抗拉强度。
