专利号: |
2013102057245 |
申请日: |
2013/05/28 |
授权公告日: |
2015/12/23 |
专利权人: |
大连理工大学 |
发明人: |
杜立群;张晓蕾;王翱岸;赵明;赵珊珊 |
摘要:
本发明公开了一种通过超声技术来提高SU-8光刻胶与金属基底界面结合强度的方法,属于微制造技术领域,特别涉及到提高SU-8光刻胶与金属基底界面结合强度的方法。其特征是:在光刻过程中,在后烘之后、显影之前进行超声处理来提高SU-8光刻胶与金属基底界面结合强度,区别于传统的SU-8胶光刻工艺流程“研磨和清洗金属基底—旋涂SU-8光刻胶—前烘—曝光—后烘—显影”,该方法采用“研磨和清洗金属基底—旋涂SU-8光刻胶—前烘—曝光—后烘—超声处理—显影”。本发明的效果和益处是通过在SU-8胶光刻的过程中对胶层进行超声处理,使SU-8光刻胶与金属基底界面结合强度提高了58.7%,具有简单、高效、经济的特点,能够显著地提高胶模的尺寸精度和可靠性,从而提高微器件的成品率。