金属基底上制备高深宽比金属微光栅的方法（专利号：2014101342171）

摘要：

    金属基底上制备高深宽比金属微光栅的方法，属于微制造技术领域。采用UV-LIGA技术在高纯镍板基底J上，经两次匀胶、分层曝光以及一次显影等光刻工艺过程得到SU-8胶胶膜，再经微电铸镍N、微电铸后处理来实现金属微光栅的制作；通过线宽补偿的方法解决溶胀引起的线宽变小问题；在去胶工序中，采用了“超声-浸泡-超声-浸泡”循环往复的方法去胶；在退火工序中使用真空退火去除残余应力，提高了基底与金属光栅之间的结合力。本发明的效果和益处是：采用此方法在金属基底J上制备金属微光栅具有深宽比、尺寸精度和机械强度高的特点，制备工艺简单，成本较低。