专利号： |
2008100105968 |
申请日： |
2008/3/7 |
授权公告日： |
2011/8/24 |
专利权人： |
大连理工大学 |
发明人： |
康仁科；李岩；高航；郭东明 |
摘要：
本发明一种化学机械抛光半导体晶片用的抛光液，属于化学机械抛光用的抛光液，特别涉及II-VI族化合物半导体晶片化学机械抛光用的抛光液领域。抛光液的pH值为0.5～7，粒径为5～20nm。抛光液组成成分是按重量百分比，其中磨料5-40％，表面活性剂0.1-10％，分散剂0.1-10％，螯合剂0.1-10％，氧化剂0.1-5％，pH调节剂0.1-5，其余为去离子水。本发明不腐蚀设备，不污染环境。抛光去除率高，达到200nm/min，抛光样品表面粗糙度低，可达到粗糙度Ra值在10埃以下。抛光液的配制方便，成本低，抛光后的表面无划痕和腐蚀坑等缺陷。
