一、产品和技术简介：

以CdS、CuInS₂、CuInSe₂为代表的硫族半导体薄膜材料在薄膜太阳能电池、光电导体，传感器中具有重要应用，但通常软化学法沉积制备的薄膜通常需要在高温（400℃以上），在H₂S、H₂Se真空或惰性气氛中进行热处理，设备昂贵且工艺复杂。本发明提供了一种在硫或硒离子水溶液中进行水热处理的方法来改善薄膜晶型和提高光电性能。该方法设备简单，处理条件温和，用于多孔太阳能电池中可保护纳米孔状电极的结构完整性，是一种新的、有发展前景的绿色薄膜热处理工艺。

二、应用范围和生产条件：

本发明提供了一种新的可以改善软化学法制备的硫族半导体薄膜性能的水热处理方法，通过在硫或硒离子水溶液中对化学浴、SILAR、电沉积法这些软化学法制备的硫族半导体薄膜进行水热处理，可以达到改善薄膜晶型，提高薄膜光电性能的目的。

本发明为一种可改善软化学法制备硫族半导体薄膜性能的处理方法，通过配制不同浓度的硫或硒离子水溶液并将该溶液置入水热釜中，将沉积制备的硫族半导体薄膜放置其中，在一定温度下进行水热晶化处理。热处理设备选用不同型号水热釜即可，相比昂贵的真空或气氛热处理装置可显著节约成本。

三、获得的专利等知识产权情况：

已获得国家授权专利，一种可改善硫族半导体薄膜性能的水热处理方法 专利号：200910010403.3。

四、规模与投资、成本估算：

本发明制备工艺简单、生产成本低，可用来制备高结晶度和光电性能优良的CuInS₂、CuInSe₂、Cu(ln，Ga)Se₂等太阳能光电薄膜，并用来组装低成本、高光电转换效率的薄膜太阳能电池。近年来国内太阳能电池市场以15-20%速度增长，以本专利为基础制备的薄膜太阳能电池，成本约为5-6元/WP，远低于单晶硅电池。预计实现规模化生产后，可收到巨大的经济效益。

本专利可用来制备太阳能光电薄膜，具有耗材少、设备及制备工艺简单、薄膜寿命长、制备无污染、反应物容易回收等特点，预计以此技术制备的薄膜太阳能电池成本仅为单晶硅电池的1/5。

五、提供技术的程度和合作方式：

专利转让或者技术入股。

六、配图：